イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
装置・デバイス

京都府

株式会社FLOSFIA

代表取締役社長 人羅 俊実

画期的な新材料「酸化ガリウム」を用いた超低損失・低コストなパワーデバイスの開発

京大発の半導体で世界トップデータを実現!

出展ゾーン
大学発ベンチャー表彰2017
小間番号
VU-04

出展概要

製品・技術の名称
「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」を用いた超低損失・低コストなパワーデバイス

 

展示の概要
京大発のベンチャー企業です。大学が生み出した新材料「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」の応用開発に取り組み、世界に先駆けて事業化することにチャレンジしています。既に世界最小の特性オン抵抗を有するダイオード(SBD)の試作に成功。開発した新プロセス「ミストドライ法」を活用した、電子材料やめっき、コーティング領域等への展開にも取り組んでいます。

 

コアの技術
①圧倒的な物性値:α-Ga2O3のバンドギャップは5.3eVと極めて大きく、バリガ性能指数はSiの6700倍と低損失デバイスを実現できる魅力的な材料です。
②世界で初めて単結晶実現:これまで誰も良質なα-Ga2O3を作れませんでしたが、京大発の新製法「ミストCVD法」を用いて高品質膜の作製を実現しました。

 

特許情報
FLSOFIAでは、良質なGa2O3の製造技術、加工技術、特徴を活かすための独自構造等の技術を有しており、材料そのものの特許も含め強い知財網を構築しています。

特徴・ポイント
①超低損失:α-Ga2O3の優れた材料物性を活かすことで、オン損失、スイッチング損失の低減が可能です。大幅な電力変換損失低減が期待できます。
②低コスト:市販のサファイア基板の活用、低オン抵抗によるチップ小型化、製造プロセスの競争優位性などからコスト低減が期待できます。

 

想定される提携先・提携先へのメリット
低損失なα-Ga2O3パワー素子の採用により、冷却系の削減や受動素子小型化などシステム全体の小型化や電力変換ロスの大幅低減が可能となります。また、これら付加価値増大を低コストで実現できるので、メガソーラー向けパワーコンディショナー、モーター駆動、HV車・EV車向けパワーシステムなどの産業機器から家電用途まで幅広い製品に展開できます。

 

主な実績
①超低損失:世界最小の特性オン抵抗を有するSBD試作に成功
②高周波特性:TO220実装デバイスで高速スイッチングを実現
③熱抵抗の低減:既存製品(SiC量産品)と同等の熱抵抗値を実現
④p層の実現:新しいp型半導体としてコランダム構造酸化イリジウムを発見
⑤メディア掲載:新聞、業界誌、論文、グローバル誌などに成果が多数掲載
⑥資金調達:UTECなどVCや事業会社から総額約14億6千万円の投資を実現

 

 

α-Ga2O3を用いたSBDサンプル

α-Ga2O3を用いたSBDサンプル

直径4インチの酸化ガリウム膜

直径4インチの酸化ガリウム膜

支援大学・企業等

国立大学法人京都大学
工学研究科 附属光・電子理工学教育研究センター 教授 藤田 静雄

株式会社東京大学エッジキャピタル(UTEC)
代表取締役社長 郷治友孝

出展者プロフィール

株式会社FLOSFIA
設立:2011年3月 資本金:14億6千万円(資本準備金含む)
事業概要:①パワーデバイス事業:酸化ガリウム系パワーデバイスの研究・製造販売、②成膜ソリューション事業:各種金属酸化膜・金属膜等の受託成膜、コーティングサービス

お問い合わせ先

株式会社FLOSFIA コーポレートサポート部

電話:075-963-5202   FAX:075-320-1712

URL:http://flosfia.com/

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