イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
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装置・デバイス・ロボット・AI
東京都

株式会社東陽テクニカ

小間NM-12
プレNM-12

サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発

SiC・GaN基板の結晶配向情報(歪み, 欠陥など)の高分解能・高精度検出が可能に

出展ゾーン
NEDOゾーン
出展分野
装置・デバイス・ロボット・AI
小間番号
NM-12
NEDOプレゼンテーション
NM-12
8月31日(木)
NEDOプレゼンテーション 会場2
13:20

出展概要

製品・技術の名称
サブナノ結晶配向情報検出ウェハマッピング装置

 

展示の概要
次世代パワー半導体として期待されているSiCやGaN等の化合物半導体基板は、Si基板と比べ結晶品質自体に課題を残しています。そこで我々は、化合物半導体ウェハの品質を向上させるため、関西学院大学 金子研究室の協力のもとに、ウェハ全面の結晶配向情報をサブナノオーダーで高精度に検出する装置を開発しており、そのコアとなる技術をご紹介します。

 

コアの技術・特許情報
転位欠陥や加工歪のない理想的表面を持つSiCウェハを製作し、それをビーム平行性の優れた走査電子顕微鏡を用いて試料バイアスに依らない低加速電圧観察を行うことで、SiC表面の1分子層ごとの結晶配向情報を高精度に検出します。また、ウェハ欠陥検査装置との座標リンケージによる広域マッピング機能により、スループットを向上させます。
特許第5561676号「SiC半導体ウェーハ熱処理装置」, 特許第5564682号「半導体素子の
製造方法」, 特許第5590665号「ナノメータ標準原器、標準試料、ナノメータ標準原器の
製造方法、及び標準試料の製造方法」他

 

特徴・ポイント
1)SiCやGaNなどの化合物半導体の転位種同定と位置検出精度を大幅に向上
2)ビーム平行性が優れ、試料バイアスフリーの低加速観察が可能なFE-SEMを使用
3)ウェハ欠陥検査装置との座標リンケージによる広域マッピング機能を開発
4)転位欠陥や加工歪のない理想的表面を持つSiCウェハを標準試料に採用

 

想定される提供先・提供先へのメリット
◇ご提供先:自動車メーカーや半導体デバイスメーカー
→SiCやGaNパワーデバイスの製造品質向上

◇ご提供先:化合物半導体ウェハ基板メーカー
→SiCやGaNウェハ基板の製造品質向上

 

主な実績
プロトタイプ機を関西学院大学に設置

 

 

サブナノ結晶配向情報検出ウェハマッピング装置概念図

関連URL

出展者プロフィール

東陽テクニカは、はかる技術であらゆる分野に付加価値をもったソリューションとサービスを提供することで、産業界の技術革新に貢献してまいります。

お問い合わせ先

株式会社東陽テクニカ ナノイメージング&アナリシス

電話:03-3279-0771   FAX:03-3246-0645  

URLまたはメールアドレス:bunseki@toyo.co.jp

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