イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
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低炭素・エネルギー

山口大学 大学院創成科学研究科

横川俊哉 教授

小間E-35
プレ0831-東1-A-51

低欠陥密度GaN on GaN技術による低消費電力トランジスタ

Yamaguchi University

Professor Toshiya Yokogawa

Low power consumption transistor using GaN on GaN technology with low defect density

7 エネルギーをみんなに そしてクリーンに
出展ゾーン
大学等シーズ展示
出展分野
低炭素・エネルギー
小間番号
E-35
JSTショートプレゼン
0831-東1-A-51
8月31日(木)
JSTショートプレゼン東1-A
15:30

展示概要

技術概要
エネルギー使用量の削減や環境負荷低減が強く求められる現在、エネルギーのスマートな創出・活用・貯蔵を実現するグリーンデバイスが要望されます。ワイドバンドギャップの窒化物系化合物半導体を用いたデバイスは、小型で高パワーかつ低消費電力の性能が期待され、有望なグリーンテクノロジーとして注目されています。私たちはそれらの省エネ性能や高い信頼性能の進展には高品質で欠陥のない半導体結晶が鍵となることに注目しGaN on GaN技術の研究を行っています。その低欠陥密度である窒化物系化合物半導体を用いて低消費電力トランジスタの顕著な性能を得ました。

想定される活用例
・電気自動車、家電などに用いられるインバータ回路
・テラヘルツ波による生体・医療用検査、非破壊イメージング、物質検査

 

展示のみどころ
低欠陥密度GaN on GaN技術による低消費電力トランジスタ性能

特許情報

特許情報1 発明の名称
真空チャネルトランジスタおよびその製造方法
特許情報1 出願人
国立大学法人山口大学
特許情報1 発明者
横川俊哉、真田篤志
特許情報1 出願日
2016/5/14
特許情報1 出願番号
PTC/JP2016/064390

お問い合わせ先

山口大学 大学研究推進機構 産学公連携センター

電話:0836-85-9961   FAX:0836-85-9962  

URL:http://kenkyu.yamaguchi-u.ac.jp/sangaku/

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