イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
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ナノテクノロジー

名古屋工業大学 大学院工学研究科 物理工学専攻

カリタ ゴラップ 准教授

小間N-23
プレ0831-東1-B-17

グラフェンを用いた高感度検出器の開発

Nagoya Institute of Technology

Assosiate Professor KALITA GOLAP

Development of highly sensitive detectors using graphene

7 エネルギーをみんなに そしてクリーンに
出展ゾーン
大学等シーズ展示
出展分野
ナノテクノロジー
小間番号
N-23
JSTショートプレゼン
0831-東1-B-17
8月31日(木)
JSTショートプレゼン東1-B
12:05

展示概要

技術概要
グラフェンを用いた金属カルコゲナイドおよびシリコンとのヘテロ接合作製による高感度の検出器作製方法である。一般的な金属・半導体デバイスの代わりとなる新たなデバイス構造による高感度センサへ応用できる。本技術の開発のため、固体原料を用いた化学気相成長(CVD)法により高品質なグラフェンや他の2次元材料(六方晶窒化ホウ素と金属カルコゲナイドの単層膜)の合成や夫々のヘテロ接合の作製に成功している。グラフェンを用いた高感度検出器はフォトディテクタ、記憶デバイス、湿度および温度センサへの応用が可能。

想定される活用例
・フォトディテクタや記憶デバイスへの応用
・湿度および温度センサ
・有機太陽電池・ペロブスカイト太陽電池への透明電極膜としての応用

 

展示のみどころ
グラフェンを用いたヘテロ構造の作製による検出器デバイスの手法について公開する。予定固体原料を用いたCVD法により、高品質な単結晶グラフェン(ミリメーター)や高品質な六方晶窒化ホウ素(h-BN)および金属カルコゲナイド(WS2, MoS2等)の単層~数層膜の製造の詳細を解説する。また、夫々の2次元材料の転写プロセスを開発しており、ヘテロ構造の作製についても公開する予定。

特許情報

特許情報1 発明の名称
金属カルコゲナイド層成長グラフェンおよびその製造方法
特許情報1 出願人
国立大学法人名古屋工業大学
特許情報1 発明者
カリタ ゴラップ、種村 眞幸、マハヤバンシ ラケシュ ダヤラム
特許情報1 出願日
2016/12/20
特許情報1 出願番号
特願2016-246284
特許情報2 発明の名称
六方晶窒化ホウ素への異方性エッチング方法
特許情報2 出願人
国立大学法人名古屋工業大学
特許情報2 発明者
カリタ ゴラップ、種村 眞幸、シャルマ スバス、サチン シンデ
特許情報2 出願日
2015/4/8
特許情報2 出願番号
特願2015-078841
特許情報3 発明の名称
可撓性基板へのグラフェン転写方法
特許情報3 出願人
国立大学法人名古屋工業大学
特許情報3 発明者
カリタ ゴラップ、種村 眞幸
特許情報3 出願日
2015/1/22
特許情報3 出願番号
特願2015-010454

お問い合わせ先

国立大学法人名古屋工業大学

電話:052-735-5627   FAX:052-735-5542  

URL:http://tic.web.nitech.ac.jp

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