イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
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装置・デバイス

関西大学 システム理工学部 電気電子情報工学科

佐藤 伸吾 助教

小間M-58

半導体デバイスの製造不良撲滅に向けた新規な抵抗異常検出技術

Kansai University

Assistant Professor Shingo Sato

A New Detection Technology of Resistance Anomaly for Eradicating Manufacturing Process Failure in Semiconductor Devices

12 つくる責任 つかう責任
出展ゾーン
大学等シーズ展示
出展分野
装置・デバイス
小間番号
M-58

展示概要

技術概要
近年、高密度大規模化の進む、映像・情報・車載用機器などに組み込まれる半導体デバイスにおいて、製造歩留まりを大きく左右する異常抵抗配線/素子部の検出技術を提案する。具体的には、広域検査(抵抗不良エリアを検出)と狭域検査(エリア内から不良個所を同定)の2段階の検査を連続で行う手法と、瞬時に2段階検査を切り替えられるシンプルな検査回路構成を考案することで、従来では困難であった高速、高精度且つ広面積な検査を実現している。更に、市場不良の重要原因となる劣化性不良に対しても検出可能であることも実証した。

想定される活用例
・半導体製造プロセス開発初期の不良モード同定
・半導体製造プロセス開発後期の偶発的な劣化性不良検出
・量産後の不良素子発生率モニタリング

 

展示のみどころ
試作したICチップを用いて、測定データ処理系を含めた製造不良検出評価環境を実演します。また試作回路構成を視覚的にご確認いただく予定です。評価面積の具体的な縮減方法、従来技術と比較した面積効率向上結果を定量的にご確認いただきます。従来方法と比較した不良検出時間やコスト有利性も示す予定です。

 

本技術の評価構造例

本技術の評価構造例

半不良と素子ばらつきを含んだ抵抗値分布図、左の抵抗値分布図から半不良を検出した例

半不良と素子ばらつきを含んだ抵抗値分布図、左の抵抗値分布図から半不良を検出した例

特許情報

特許情報1 発明の名称
半導体の抵抗異常検出装置
特許情報1 出願人
学校法人関西大学
特許情報1 発明者
佐藤 伸吾
特許情報1 出願日
2015/12/18
特許情報1 出願番号
特願2015-247449

お問い合わせ先

関西大学

電話:06-6368-1245   FAX:06-6368-1247  

URL:http://www.kansai-u.ac.jp/renkei/

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