イノベーション・ジャパン2017 ~大学見本市&ビジネスマッチング~
Innovation Japan 2017
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装置・デバイス

上智大学 理工学部 機能創造理工学科

下村 和彦 教授

小間M-15
プレ0831-東1-B-48

シリコンプラットフォームへの化合物半導体レーザ集積化技術の開発

Sophia University

Professor Kazuhiko Shimomura

Integration technology of III-V semiconductor laser on silicon platform

9 産業と技術革新の 基盤をつくろう
出展ゾーン
大学等シーズ展示
出展分野
装置・デバイス
小間番号
M-15
JSTショートプレゼン
0831-東1-B-48
8月31日(木)
JSTショートプレゼン東1-B
15:10

展示概要

技術概要
シリコンフォトニクスの発展のためにはシリコンプラットフォームにおける光源の開発がキーポイントである。われわれは化合物半導体レーザをシリコンプラットフォームへ集積化する新しい技術の開発を行っている。具体的には、シリコン基板上に厚さ1μm程度の薄膜InP層を直接貼付けし、このInP/Si基板に結晶成長、デバイスプロセスを行う方法である。この技術は土台はシリコンであるが、化合物半導体基板と同等の扱いが可能な技術であり、波長1.5μm帯の半導体レーザを実現した。

想定される活用例
・シリコンフォトニクス回路における光源、デバイスの開発
・シリコン集積回路との集積化

 

展示のみどころ
研究開発の具体的な方法を示したパネルにおいて説明を行います。またこれまでに公表した論文、学会の発表内容をパソコンにおいて見ることが可能です。さらに実際に試作したInP/Si基板および半導体レーザの実物展示を行います。

特許情報

特許情報1 発明の名称
半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法
特許情報1 出願人
上智大学
特許情報1 発明者
下村和彦、松本恵一
特許情報1 出願日
2012/7/24
特許情報1 出願番号
2012-163605
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